NTMT190N65S3HF-HXY
IC
DFN-5B(8x8)
可供量大可议
NTMT190N65S3HF-HXY
该N沟道碳化硅MOSFET具有25A的连续漏极电流和800V的漏源击穿电压， 导通电阻为165mΩ， 在栅源电压范围-8V至+20V内稳定工作。 器件利用碳化硅材料特性， 在高电压应用中展现出优异的开关性能与热稳定性， 适用于对效率和功率密度要求较高的电源转换系统。 其低导通损耗有助于提升整体能效， 同时支持高频操作， 简化外围电路设计。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-5B(8x8)
库存
7
货期
现货
NTMT190N65S3HF-HXY参数
| 封装 | DFN-5B(8x8) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 7 |
NTMT190N65S3HF-HXY概述
该N沟道碳化硅MOSFET具有25A的连续漏极电流和800V的漏源击穿电压， 导通电阻为165mΩ， 在栅源电压范围-8V至+20V内稳定工作。 器件利用碳化硅材料特性， 在高电压应用中展现出优异的开关性能与热稳定性， 适用于对效率和功率密度要求较高的电源转换系统。 其低导通损耗有助于提升整体能效， 同时支持高频操作， 简化外围电路设计。
NTMT190N65S3HF-HXY特性
暂无产品特性。
NTMT190N65S3HF-HXY应用领域
暂无应用领域。