NTMT125N65S3H-VB
IC
DFN-8(8x8)
可供量大可议
NTMT125N65S3H-VB
特性：低品质因数（FOM）：导通电阻×栅极电荷。 低输入电容（Ciss）。 降低开关和传导损耗。 超低栅极电荷（Qg）。 雪崩能量额定（UIS）。 应用：服务器和电信电源。 开关电源（SMPS）
品牌
VBsemi
封装
DFN-8(8x8)
库存
5
货期
现货
NTMT125N65S3H-VB参数
| 封装 | DFN-8(8x8) |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 5 |
NTMT125N65S3H-VB概述
特性：低品质因数（FOM）：导通电阻×栅极电荷。 低输入电容（Ciss）。 降低开关和传导损耗。 超低栅极电荷（Qg）。 雪崩能量额定（UIS）。 应用：服务器和电信电源。 开关电源（SMPS）
NTMT125N65S3H-VB特性
暂无产品特性。
NTMT125N65S3H-VB应用领域
暂无应用领域。