NTMT110N65S3HF-HXY
IC
DFN-5B(8x8)
可供量大可议
NTMT110N65S3HF-HXY
该N沟道碳化硅MOSFET的漏极电流ID为37A， 漏源电压VDSS为650V， 导通电阻RDS(ON)为94mΩ， 栅源电压VGS工作范围为-10V至+25V。 器件利用碳化硅材料特性， 在高电压应用中展现出较低的导通与开关损耗， 适用于高频电源转换、高效能电力电子系统等场景， 能够在提升系统效率的同时减少散热需求。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-5B(8x8)
库存
4
货期
现货
NTMT110N65S3HF-HXY参数
| 封装 | DFN-5B(8x8) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 4 |
NTMT110N65S3HF-HXY概述
该N沟道碳化硅MOSFET的漏极电流ID为37A， 漏源电压VDSS为650V， 导通电阻RDS(ON)为94mΩ， 栅源电压VGS工作范围为-10V至+25V。 器件利用碳化硅材料特性， 在高电压应用中展现出较低的导通与开关损耗， 适用于高频电源转换、高效能电力电子系统等场景， 能够在提升系统效率的同时减少散热需求。
NTMT110N65S3HF-HXY特性
暂无产品特性。
NTMT110N65S3HF-HXY应用领域
暂无应用领域。