NTMT095N65S3H-VB
IC
DFN-8(8x8)
可供量大可议
NTMT095N65S3H-VB
特性：低品质因数 (FOM) R(on) × Qg。 低输入电容 (C(us))。 降低开关和传导损耗。 超低栅极电荷 (Q(g))。 雪崩能量额定 (UIS)。 应用：服务器和电信电源。 开关模式电源 (SMPS)
品牌
VBsemi
封装
DFN-8(8x8)
库存
5
货期
现货
NTMT095N65S3H-VB参数
| 封装 | DFN-8(8x8) |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 5 |
NTMT095N65S3H-VB概述
特性：低品质因数 (FOM) R(on) × Qg。 低输入电容 (C(us))。 降低开关和传导损耗。 超低栅极电荷 (Q(g))。 雪崩能量额定 (UIS)。 应用：服务器和电信电源。 开关模式电源 (SMPS)
NTMT095N65S3H-VB特性
暂无产品特性。
NTMT095N65S3H-VB应用领域
暂无应用领域。