NTMT064N65S3H-HXY

该碳化硅场效应管为N沟道类型， 具有68A的漏极电流能力， 漏源击穿电压为650V， 导通电阻低至45mΩ， 栅源驱动电压范围为-10V至+25V。 得益于碳化硅材料的高击穿电场强度与热导率， 器件在高频开关操作中表现出较低的开关损耗与良好的热稳定性， 适用于高效率电源系统、可再生能源转换装置及各类高功率密度电力电子设备中的开关功能。