NTMS4816NR2G
IC
SO-8
可供量大可议
NTMS4816NR2G
特性：低导通电阻（RDS(on)）， 以最小化传导损耗。 低电容， 以最小化驱动损耗。 优化的栅极电荷， 以最小化开关损耗。 这些器件为无铅产品， 符合RoHS标准。 应用：磁盘驱动器。 DC-DC转换器
品牌
onsemi
封装
SO-8
库存
17
货期
现货
NTMS4816NR2G参数
| 封装 | SO-8 |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 17 |
NTMS4816NR2G概述
特性：低导通电阻（RDS(on)）， 以最小化传导损耗。 低电容， 以最小化驱动损耗。 优化的栅极电荷， 以最小化开关损耗。 这些器件为无铅产品， 符合RoHS标准。 应用：磁盘驱动器。 DC-DC转换器
NTMS4816NR2G特性
暂无产品特性。
NTMS4816NR2G应用领域
暂无应用领域。