NTMS4801NR2G-HXY

该N沟道MOSFET的连续漏极电流为15A， 最大漏源电压为30V， 导通电阻为7.5毫欧。 器件在典型驱动条件下可实现低损耗导通， 适用于电源管理、负载开关、同步整流及中等功率的直流-直流转换电路。 其较低的导通电阻有助于减少发热， 提升系统整体效率， 并支持较高频率的开关操作， 适合对能效和热性能有一定要求的电子应用。