NTMS4177PR2G-VB
IC
SO-8
可供量大可议
NTMS4177PR2G-VB
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单P沟道场效应晶体管， 采用Trench工艺， 采用Trench工艺制造， 适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域， 包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。 SOP8； P—Channel沟道, -30V； -11.6A； RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=-1~-3V
品牌
VBsemi
封装
SO-8
库存
65
货期
现货
NTMS4177PR2G-VB参数
| 封装 | SO-8 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 65 |
NTMS4177PR2G-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单P沟道场效应晶体管， 采用Trench工艺， 采用Trench工艺制造， 适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域， 包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。 SOP8； P—Channel沟道, -30V； -11.6A； RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=-1~-3V
NTMS4177PR2G-VB特性
暂无产品特性。
NTMS4177PR2G-VB应用领域
暂无应用领域。