NTMFSC4D2N10MC-HXY
IC
DFN-8L(5x6)
可供量大可议
NTMFSC4D2N10MC-HXY
该N沟道场效应管具有100V的漏源电压(VDSS)和120A的连续漏极电流(ID)能力, 适用于高功率密度开关应用。 其导通电阻低至3.6mΩ, 有助于减少导通损耗, 提升系统效率。 器件采用先进工艺制造, 具备良好的热稳定性和开关特性, 适合用于高性能电源转换、大电流电机驱动及同步整流等场景。 紧凑的封装设计有利于简化PCB布局, 提高整体系统可靠性。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(5x6)
库存
77
货期
现货
NTMFSC4D2N10MC-HXY参数
| 封装 | DFN-8L(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 77 |
NTMFSC4D2N10MC-HXY概述
该N沟道场效应管具有100V的漏源电压(VDSS)和120A的连续漏极电流(ID)能力, 适用于高功率密度开关应用。 其导通电阻低至3.6mΩ, 有助于减少导通损耗, 提升系统效率。 器件采用先进工艺制造, 具备良好的热稳定性和开关特性, 适合用于高性能电源转换、大电流电机驱动及同步整流等场景。 紧凑的封装设计有利于简化PCB布局, 提高整体系统可靠性。
NTMFSC4D2N10MC-HXY特性
暂无产品特性。
NTMFSC4D2N10MC-HXY应用领域
暂无应用领域。
