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NTMFSC4D2N10MC-HXY
IC

DFN-8L(5x6)

可供量大可议

NTMFSC4D2N10MC-HXY

该N沟道场效应管具有100V的漏源电压(VDSS)和120A的连续漏极电流(ID)能力, 适用于高功率密度开关应用。 其导通电阻低至3.6mΩ, 有助于减少导通损耗, 提升系统效率。 器件采用先进工艺制造, 具备良好的热稳定性和开关特性, 适合用于高性能电源转换、大电流电机驱动及同步整流等场景。 紧凑的封装设计有利于简化PCB布局, 提高整体系统可靠性。

品牌

HXY MOSFET

封装

DFN-8L(5x6)

库存

77

货期

现货

NTMFSC4D2N10MC-HXY参数

封装DFN-8L(5x6)
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存77

NTMFSC4D2N10MC-HXY概述

该N沟道场效应管具有100V的漏源电压(VDSS)和120A的连续漏极电流(ID)能力, 适用于高功率密度开关应用。 其导通电阻低至3.6mΩ, 有助于减少导通损耗, 提升系统效率。 器件采用先进工艺制造, 具备良好的热稳定性和开关特性, 适合用于高性能电源转换、大电流电机驱动及同步整流等场景。 紧凑的封装设计有利于简化PCB布局, 提高整体系统可靠性。

NTMFSC4D2N10MC-HXY特性

暂无产品特性。

NTMFSC4D2N10MC-HXY应用领域

暂无应用领域。

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