NTMFS6H848NLT1G
IC
DFN-5(5.9x4.9)
可供量大可议
NTMFS6H848NLT1G
1个N沟道 耐压:80V 电流:59A
Brand
onsemi
Package
DFN-5(5.9x4.9)
Stock
50
货期
现货
NTMFS6H848NLT1GParameters
| 封装 | DFN-5(5.9x4.9) |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 80V |
| 耗散功率(Pd) | 73W |
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@10V |
| 反向传输电容(Crss) | 11pF |
| 类型 | N沟道 |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
| 商品型号 | NTMFS6H848NLT1G |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.000264 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 50 |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.2mΩ@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 输入电容(Ciss) | 1.42nF |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
| 输出电容(Coss) | 192pF |
| 商品名称 | 1个N沟道 耐压:80V 电流:59A |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
NTMFS6H848NLT1G概述
UniFET™ MOSFET是基于平面条纹和DMOS技术的高压MOSFET系列。 这款MOSFET专为降低导通电阻、提供更优的开关性能和更高的雪崩能量强度而设计。 通过寿命控制， UniFET FRFET® MOSFET的体二极管反向恢复性能得到了增强。 其反向恢复时间（trr）小于100纳秒， 反向dv/dt抗扰度为15V/ns， 而普通平面MOSFET的trr超过200纳秒， 反向dv/dt抗扰度为4.5V/ns。 因此， 在MOSFET体二极管性能至关重要的某些应用中， 它可以省去额外的元件并提高系统可靠性。 该器件系列适用于开关电源转换器应用， 如功率因数校正（PFC）、平板显示（FPD）电视电源、ATX电源和电子灯镇流器。
NTMFS6H848NLT1G特性
- 小尺寸封装(5x6 mm), 适合紧凑型设计
- 低 RDS(on), 以最小化传导损耗
- 低 QG 和电容, 以最小化驱动损耗
- 这些器件为无铅产品, 符合 RoHS 标准
NTMFS6H848NLT1G应用领域
- 液晶/发光二极管/等离子电视-照明-不间断电源