NTMFS6H836NLT1G
IC
DFN-5(5.9x4.9)
可供量大可议
NTMFS6H836NLT1G
特性：小尺寸（5x6mm）， 适合紧凑设计。 低RDS(on)， 以最小化传导损耗。 低QG和电容， 以最小化驱动损耗。 这些器件无铅且符合RoHS标准
品牌
onsemi
封装
DFN-5(5.9x4.9)
库存
111
货期
现货
NTMFS6H836NLT1G参数
| 封装 | DFN-5(5.9x4.9) |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 111 |
NTMFS6H836NLT1G概述
特性：小尺寸（5x6mm）， 适合紧凑设计。 低RDS(on)， 以最小化传导损耗。 低QG和电容， 以最小化驱动损耗。 这些器件无铅且符合RoHS标准
NTMFS6H836NLT1G特性
暂无产品特性。
NTMFS6H836NLT1G应用领域
暂无应用领域。