NTMFS6H801NLT1G
IC
SO-8FL
可供量大可议
NTMFS6H801NLT1G
特性：小尺寸（5x6 mm）， 适合紧凑设计。 低导通电阻 RDS(on)， 可降低传导损耗。 低栅极电荷 QG 和电容， 可降低驱动损耗。 无铅且符合 RoHS 标准
品牌
onsemi
封装
SO-8FL
库存
795
货期
现货
NTMFS6H801NLT1G参数
| 封装 | SO-8FL |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 795 |
NTMFS6H801NLT1G概述
特性：小尺寸（5x6 mm）， 适合紧凑设计。 低导通电阻 RDS(on)， 可降低传导损耗。 低栅极电荷 QG 和电容， 可降低驱动损耗。 无铅且符合 RoHS 标准
NTMFS6H801NLT1G特性
暂无产品特性。
NTMFS6H801NLT1G应用领域
暂无应用领域。