NTMFS6B05NT1G-HXY

该N沟道场效应管（MOSFET）具备75A的连续漏极电流（ID）和100V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）为6.4毫欧。 其低导通电阻有助于减少导通状态下的功率损耗， 提升系统整体效率。 器件适用于需要高电流处理能力与良好热稳定性的场合， 如开关电源、电机控制、不间断电源及各类高密度功率转换模块， 在高频或大负载条件下仍能维持可靠性能。