NTMFS5H431NLT1G-HXY
IC
DFN-8L(5x6)
可供量大可议
NTMFS5H431NLT1G-HXY
该N沟道场效应管（MOSFET）具有130A的连续漏极电流（ID）、40V的漏源击穿电压（VDSS）以及2.8毫欧的导通电阻（RDS(ON)）。 其极低的导通电阻有助于显著减少导通损耗， 在高电流工作条件下维持较低温升。 适用于大电流开关电源、电机驱动、电池充放电控制及高效功率转换等场合， 能够在高频开关操作中保持良好的电气性能和热稳定性。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(5x6)
库存
49
货期
现货
NTMFS5H431NLT1G-HXY参数
| 封装 | DFN-8L(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 49 |
NTMFS5H431NLT1G-HXY概述
该N沟道场效应管（MOSFET）具有130A的连续漏极电流（ID）、40V的漏源击穿电压（VDSS）以及2.8毫欧的导通电阻（RDS(ON)）。 其极低的导通电阻有助于显著减少导通损耗， 在高电流工作条件下维持较低温升。 适用于大电流开关电源、电机驱动、电池充放电控制及高效功率转换等场合， 能够在高频开关操作中保持良好的电气性能和热稳定性。
NTMFS5H431NLT1G-HXY特性
暂无产品特性。
NTMFS5H431NLT1G-HXY应用领域
暂无应用领域。