NTMFS5C673NLT1G-HXY

本款N沟道场效应管（MOSFET）具备65A的漏极电流（ID）和60V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDON）低至8mΩ， 表现出优异的导电性能与较低的导通损耗。 适用于各类中高功率电源系统， 如直流变换器、电池管理系统、电机驱动电路及高效能适配器等场景。 器件设计注重稳定性和耐用性， 可满足多种环境下的开关与控制需求， 适合用于对效率与可靠性有较高要求的电子设备中。