NTMFS5C670NLT1G-HXY

本款N沟道增强型场效应管（MOSFET）具有良好的电性能和稳定性， 漏源电压VDSS为60V， 最大连续漏极电流ID可达80A， 导通电阻RDON典型值为5.3mΩ。 该器件适用于多种中高功率电源管理与转换应用， 如开关电源、电池充放电控制及直流变换器等电路。 凭借较低的导通损耗和优异的热稳定性， 该MOSFET可有效提升系统效率与可靠性， 适合用于对性能和能效有较高要求的电子设备中。