NTMFS5C628NT1G-HXY

本N沟道场效应管（MOSFET）具有125A连续漏极电流能力和60V漏源耐压， 导通电阻低至2.4mΩ， 可有效减少导通损耗并提升系统效率。 器件基于优化的晶圆工艺设计， 具备良好的热稳定性和高频开关特性， 适用于高功率密度电源转换、同步整流、电池管理系统及高效能负载控制等应用， 在严苛工作环境下仍能保持可靠运行。