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NTMFS5C628NLT1G-VB
IC

DFN-8(5x6)

可供量大可议

NTMFS5C628NLT1G-VB

台积电流片, 长电科技封装; DFN8(5X6); N—Channel沟道; 60V; 180A; RDS(ON)=1.7(mΩ)@VGS=10V; VGS=±20V; Vth=3V; 采用SGT技术

品牌

VBsemi

封装

DFN-8(5x6)

库存

4

货期

现货

NTMFS5C628NLT1G-VB参数

封装DFN-8(5x6)
品牌VBsemi(微碧半导体)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存4

NTMFS5C628NLT1G-VB概述

台积电流片, 长电科技封装; DFN8(5X6); N—Channel沟道; 60V; 180A; RDS(ON)=1.7(mΩ)@VGS=10V; VGS=±20V; Vth=3V; 采用SGT技术

NTMFS5C628NLT1G-VB特性

暂无产品特性。

NTMFS5C628NLT1G-VB应用领域

暂无应用领域。

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