NTMFS5C450NT3G-HXY
IC
DFN-8L(5x6)
可供量大可议
NTMFS5C450NT3G-HXY
该N沟道MOSFET具备130A的连续漏极电流（ID）和40V的漏源电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）仅为2.8毫欧。 低导通电阻有效降低导通损耗， 在高电流工作条件下仍能维持较高的能效水平。 适用于对功率密度和热管理有较高要求的电源系统， 如服务器电源、通信设备供电模块及高性能计算平台中的同步整流与负载开关等场合。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(5x6)
库存
89
货期
现货
NTMFS5C450NT3G-HXY参数
| 封装 | DFN-8L(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 89 |
NTMFS5C450NT3G-HXY概述
该N沟道MOSFET具备130A的连续漏极电流（ID）和40V的漏源电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）仅为2.8毫欧。 低导通电阻有效降低导通损耗， 在高电流工作条件下仍能维持较高的能效水平。 适用于对功率密度和热管理有较高要求的电源系统， 如服务器电源、通信设备供电模块及高性能计算平台中的同步整流与负载开关等场合。
NTMFS5C450NT3G-HXY特性
暂无产品特性。
NTMFS5C450NT3G-HXY应用领域
暂无应用领域。