NTMFS5C426NT3G-HXY
IC
DFN-8L(5x6)
可供量大可议
NTMFS5C426NT3G-HXY
该N沟道MOSFET的连续漏极电流（ID）为219A， 漏源击穿电压（VDSS）为40V， 在栅源电压（VGS）为20V时， 导通电阻（RDS(ON)）低至1.2毫欧。 凭借极低的导通电阻和高电流承载能力， 该器件适用于高效率电源转换、大电流开关电路及电机驱动等应用场合， 有助于降低功耗并提升系统整体性能与可靠性。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(5x6)
库存
48
货期
现货
NTMFS5C426NT3G-HXY参数
| 封装 | DFN-8L(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 48 |
NTMFS5C426NT3G-HXY概述
该N沟道MOSFET的连续漏极电流（ID）为219A， 漏源击穿电压（VDSS）为40V， 在栅源电压（VGS）为20V时， 导通电阻（RDS(ON)）低至1.2毫欧。 凭借极低的导通电阻和高电流承载能力， 该器件适用于高效率电源转换、大电流开关电路及电机驱动等应用场合， 有助于降低功耗并提升系统整体性能与可靠性。
NTMFS5C426NT3G-HXY特性
暂无产品特性。
NTMFS5C426NT3G-HXY应用领域
暂无应用领域。