NTMFS5C426NT1G-HXY
IC
DFN-8L(5x6)
可供量大可议
NTMFS5C426NT1G-HXY
该N沟道MOSFET的漏源击穿电压（VDSS）为40V， 最大连续漏极电流（ID）达219A， 导通电阻（RDS(ON)）仅为1.2毫欧（在VGS=20V条件下）。 低导通电阻有效降低导通状态下的功率损耗， 适用于高效率电源管理、大电流开关以及对热性能敏感的电子系统。 其电气参数表明该器件适合在高频、高负载条件下稳定运行。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(5x6)
库存
40
货期
现货
NTMFS5C426NT1G-HXY参数
| 封装 | DFN-8L(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 40 |
NTMFS5C426NT1G-HXY概述
该N沟道MOSFET的漏源击穿电压（VDSS）为40V， 最大连续漏极电流（ID）达219A， 导通电阻（RDS(ON)）仅为1.2毫欧（在VGS=20V条件下）。 低导通电阻有效降低导通状态下的功率损耗， 适用于高效率电源管理、大电流开关以及对热性能敏感的电子系统。 其电气参数表明该器件适合在高频、高负载条件下稳定运行。
NTMFS5C426NT1G-HXY特性
暂无产品特性。
NTMFS5C426NT1G-HXY应用领域
暂无应用领域。