NTMFS5C423NLT3G
自营可供
IC
SO-8-FL-5.8mm
NTMFS5C423NLT3G
NTMFS5C423NLT3G
品牌
onsemi
封装
SO-8-FL-5.8mm
交期
现货
批次
—
NTMFS5C423NLT3G参数
| 封装 | SO-8-FL-5.8mm |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 40V |
| 耗散功率(Pd) | 83W |
| 栅极电荷量(Qg) | 50nC@10V |
| 反向传输电容(Crss) | 60pF |
| 类型 | N沟道 |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
| 商品型号 | NTMFS5C423NLT3G |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.000171 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 100 |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2mΩ@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V |
| 输入电容(Ciss) | 3.1nF |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
| 输出电容(Coss) | 1.3nF |
| 商品名称 | NTMFS5C423NLT3G |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
NTMFS5C423NLT3G概述
GT10N10采用先进的沟槽技术， 具备出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷， 可广泛应用于各类场景。
NTMFS5C423NLT3G特性
- 小尺寸封装(5x6 mm), 适用于紧凑设计
- 低 RDS(on), 以最小化传导损耗
- 低 QG 和电容, 以最小化驱动损耗
- 这些器件为无铅产品, 符合 RoHS 标准
NTMFS5C423NLT3G应用领域
- 功率开关
- DC/DC转换器