NTMFS5113PLT1G
IC
DFN-5(5.9x4.9)
可供量大可议
NTMFS5113PLT1G
特性：低RDS(on)以最小化传导损耗。 高电流能力。 规定雪崩能量。 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂且符合RoHS标准
品牌
onsemi
封装
DFN-5(5.9x4.9)
库存
42
货期
现货
NTMFS5113PLT1G参数
| 封装 | DFN-5(5.9x4.9) |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 42 |
NTMFS5113PLT1G概述
特性：低RDS(on)以最小化传导损耗。 高电流能力。 规定雪崩能量。 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂且符合RoHS标准
NTMFS5113PLT1G特性
暂无产品特性。
NTMFS5113PLT1G应用领域
暂无应用领域。