NTMFS4D2N10MDT1G-HXY

该N沟道场效应管具有100V漏源电压（VDSS）和120A连续漏极电流（ID）能力， 适用于高电流开关场景。 其导通电阻低至3.6mΩ， 有助于降低导通损耗， 提升系统能效。 采用先进工艺技术， 具备优良的热稳定性和开关特性， 适合用于高性能电源转换、大功率DC-DC变换器及电池管理系统中的功率控制。 器件结构优化， 支持高密度布局， 有助于提升整体电路的功率密度与运行可靠性。