NTMFS4C59NT1G-HXY
IC
DFN-8L(5x6)
可供量大可议
NTMFS4C59NT1G-HXY
该N沟道MOSFET具有80A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）低至4.7毫欧， 在栅源电压（VGS）为20V时可实现高效导通。 器件适用于对开关速度和导通损耗要求较高的电源管理场景， 其低阻抗特性有助于减少发热并提升系统整体效率， 适合用于高电流密度的电子电路中。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(5x6)
库存
45
货期
现货
NTMFS4C59NT1G-HXY参数
| 封装 | DFN-8L(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 45 |
NTMFS4C59NT1G-HXY概述
该N沟道MOSFET具有80A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）低至4.7毫欧， 在栅源电压（VGS）为20V时可实现高效导通。 器件适用于对开关速度和导通损耗要求较高的电源管理场景， 其低阻抗特性有助于减少发热并提升系统整体效率， 适合用于高电流密度的电子电路中。
NTMFS4C59NT1G-HXY特性
暂无产品特性。
NTMFS4C59NT1G-HXY应用领域
暂无应用领域。