NTMFS4C10NT3G-HXY

该N沟道场效应管（MOSFET）具备60A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）为5.7毫欧。 其低导通电阻有助于在高电流工作条件下有效降低功率损耗与温升， 适用于对效率和热性能有较高要求的电源转换及开关应用。 典型使用场景包括直流-直流转换器、电池管理系统以及各类高密度功率模块， 能够支持紧凑布局下的稳定高效运行。