NTMFS4C10NT1G
IC
SO-8FL
可供量大可议
NTMFS4C10NT1G
特性：低RDS(on)以最小化传导损耗。 低电容以最小化驱动损耗。 优化的栅极电荷以最小化开关损耗。 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂， 符合RoHS标准。 应用：CPU电源供应。 DC-DC转换器
品牌
onsemi
封装
SO-8FL
库存
181
货期
现货
NTMFS4C10NT1G参数
| 封装 | SO-8FL |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 181 |
NTMFS4C10NT1G概述
特性：低RDS(on)以最小化传导损耗。 低电容以最小化驱动损耗。 优化的栅极电荷以最小化开关损耗。 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂， 符合RoHS标准。 应用：CPU电源供应。 DC-DC转换器
NTMFS4C10NT1G特性
暂无产品特性。
NTMFS4C10NT1G应用领域
暂无应用领域。