NTMFS4C10NBT1G-HXY
IC
DFN-8L(5x6)
可供量大可议
NTMFS4C10NBT1G-HXY
该N沟道MOSFET具备60A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）低至5.7毫欧， 适用于对效率和热性能要求较高的功率开关场景。 在栅极驱动电压适配范围内， 器件可实现快速开关响应与较低的导通损耗， 适合用于电源转换、电机驱动及高密度功率模块等应用。 其电气特性有助于维持系统稳定运行并提升整体能效表现。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(5x6)
库存
98
货期
现货
NTMFS4C10NBT1G-HXY参数
| 封装 | DFN-8L(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 98 |
NTMFS4C10NBT1G-HXY概述
该N沟道MOSFET具备60A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）低至5.7毫欧， 适用于对效率和热性能要求较高的功率开关场景。 在栅极驱动电压适配范围内， 器件可实现快速开关响应与较低的导通损耗， 适合用于电源转换、电机驱动及高密度功率模块等应用。 其电气特性有助于维持系统稳定运行并提升整体能效表现。
NTMFS4C10NBT1G-HXY特性
暂无产品特性。
NTMFS4C10NBT1G-HXY应用领域
暂无应用领域。