NTMFS4C09NCT1G-HXY
IC
DFN-8L(5x6)
可供量大可议
NTMFS4C09NCT1G-HXY
该N沟道MOSFET具有80A的连续漏极电流能力， 最大漏源电压为30V， 在导通状态下其导通电阻低至4.7毫欧， 栅源驱动电压最高可达20V。 凭借低导通电阻与高电流承载能力， 该器件适用于对效率和热性能要求较高的电源管理、电机驱动及高频开关等应用场景， 能够有效降低导通损耗并提升系统整体能效。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(5x6)
库存
40
货期
现货
NTMFS4C09NCT1G-HXY参数
| 封装 | DFN-8L(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 40 |
NTMFS4C09NCT1G-HXY概述
该N沟道MOSFET具有80A的连续漏极电流能力， 最大漏源电压为30V， 在导通状态下其导通电阻低至4.7毫欧， 栅源驱动电压最高可达20V。 凭借低导通电阻与高电流承载能力， 该器件适用于对效率和热性能要求较高的电源管理、电机驱动及高频开关等应用场景， 能够有效降低导通损耗并提升系统整体能效。
NTMFS4C09NCT1G-HXY特性
暂无产品特性。
NTMFS4C09NCT1G-HXY应用领域
暂无应用领域。