NTMFS4C03NT1G-MS
IC
DFN5x6-8L
可供量大可议
NTMFS4C03NT1G-MS
NTMFS4C03NT1G - MS采用先进的沟槽技术， 可实现出色的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷， 并且可在低至4.5V的栅极电压下工作。 该器件适用于电池保护或其他开关应用。
品牌
MSKSEMI
封装
DFN5x6-8L
库存
126
货期
现货
NTMFS4C03NT1G-MS参数
| 封装 | DFN5x6-8L |
|---|---|
| 品牌 | MSKSEMI(美森科) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 126 |
NTMFS4C03NT1G-MS概述
NTMFS4C03NT1G - MS采用先进的沟槽技术， 可实现出色的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷， 并且可在低至4.5V的栅极电压下工作。 该器件适用于电池保护或其他开关应用。
NTMFS4C03NT1G-MS特性
暂无产品特性。
NTMFS4C03NT1G-MS应用领域
暂无应用领域。