NTMFS4C028NT1G-HXY

该N沟道MOSFET具有90A的连续漏极电流能力， 最大漏源电压为30V， 导通电阻低至3.5毫欧， 在栅源电压高达20V的条件下稳定工作。 其低导通电阻有助于减少导通损耗， 提升整体效率， 适用于对功率密度和热性能有较高要求的电源转换、电机驱动及高频开关等应用场景。 器件结构优化了开关特性与导通性能之间的平衡， 适合在紧凑型电子系统中实现高效能量管理。