NTMFS4983NFT3G-HXY

该N沟道MOSFET具备150A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(on)）仅为1.4毫欧， 在栅源电压（VGS）达20V时仍能可靠运行。 其超低导通电阻有效降低导通状态下的功率损耗， 适合用于高效率、大电流的电源管理、电池供电系统及各类直流开关电路中。 器件在高频操作下保持良好的开关特性， 适用于对热性能与电气稳定性有较高要求的应用场合。