NTMFS4943NT1G-HXY
IC
DFN-8L(5x6)
可供量大可议
NTMFS4943NT1G-HXY
该N沟道场效应管（MOSFET）具有30V的漏源击穿电压（VDSS）、80A的连续漏极电流（ID）， 导通电阻（RDS(ON)）为4.7毫欧， 栅源电压（VGS）最大额定值为20V。 其低导通电阻与高电流能力相结合， 适用于高效率电源转换、大电流负载开关、同步整流以及电池供电系统中的功率管理等应用。 器件在高频开关条件下仍能保持较低的功耗和温升， 有助于提升整体电路的能效与可靠性。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(5x6)
库存
45
货期
现货
NTMFS4943NT1G-HXY参数
| 封装 | DFN-8L(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 45 |
NTMFS4943NT1G-HXY概述
该N沟道场效应管（MOSFET）具有30V的漏源击穿电压（VDSS）、80A的连续漏极电流（ID）， 导通电阻（RDS(ON)）为4.7毫欧， 栅源电压（VGS）最大额定值为20V。 其低导通电阻与高电流能力相结合， 适用于高效率电源转换、大电流负载开关、同步整流以及电池供电系统中的功率管理等应用。 器件在高频开关条件下仍能保持较低的功耗和温升， 有助于提升整体电路的能效与可靠性。
NTMFS4943NT1G-HXY特性
暂无产品特性。
NTMFS4943NT1G-HXY应用领域
暂无应用领域。