NTMFS4936NCT1G-HXY

该N沟道场效应管具有30V的漏源电压（VDSS）和高达90A的连续漏极电流（ID）能力， 导通电阻低至3mΩ， 可有效降低导通损耗， 提升系统效率。 其低电阻特性有助于减少发热， 适用于高电流开关应用。 器件采用先进工艺制造， 具备良好的热稳定性和可靠性， 适合用于电源管理、直流-直流转换、电机驱动及高密度功率控制等场景， 是高性能开关电路中的理想选择。