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NTMFS4926N-HXY
IC

DFN5x6-8L

可供量大可议

NTMFS4926N-HXY

这款N型场效应管具有80A的电流承载能力和30V的电压耐受性, 内阻典型值为4.7mΩ, 适用于高电流、低内阻需求的场景。 其VGS为20V, 确保了良好的开关控制特性。 该产品适用于多种应用, 包括但不限于电源管理、负载开关和信号放大等, 为电子系统提供稳定可靠的性能支持。

品牌

HXY MOSFET

封装

DFN5x6-8L

库存

5

货期

现货

NTMFS4926N-HXY参数

封装DFN5x6-8L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类场效应管(MOSFET)
库存5

NTMFS4926N-HXY概述

这款N型场效应管具有80A的电流承载能力和30V的电压耐受性, 内阻典型值为4.7mΩ, 适用于高电流、低内阻需求的场景。 其VGS为20V, 确保了良好的开关控制特性。 该产品适用于多种应用, 包括但不限于电源管理、负载开关和信号放大等, 为电子系统提供稳定可靠的性能支持。

NTMFS4926N-HXY特性

暂无产品特性。

NTMFS4926N-HXY应用领域

暂无应用领域。

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