NTMFS4852NT3G-HXY

该N沟道MOSFET具备150A的连续漏极电流能力， 最大漏源电压为30V， 导通电阻低至1.4毫欧， 在栅源电压达20V时仍能稳定工作。 其低导通电阻有助于减少导通损耗， 提升整体效率， 适用于对功率密度和热性能要求较高的电源转换、电机驱动及高电流开关场景。 器件结构优化了高频开关特性， 可满足紧凑型电源系统中对高效能与可靠性的需求。