NTMFS4851NT1G-HXY
IC
DFN-8L(5x6)
可供量大可议
NTMFS4851NT1G-HXY
该N沟道MOSFET具有60A的连续漏极电流能力， 最大漏源电压为30V， 在导通状态下其导通电阻仅为4.3毫欧， 栅源驱动电压最高可达20V。 低导通电阻有助于降低导通损耗， 提升整体效率， 适用于对功率密度和热性能有较高要求的电源转换、电机驱动及高频率开关场景。 器件结构优化了开关特性， 可在高频工作条件下保持稳定性能， 适合用于各类紧凑型高效能电子系统中。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(5x6)
库存
98
货期
现货
NTMFS4851NT1G-HXY参数
| 封装 | DFN-8L(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 98 |
NTMFS4851NT1G-HXY概述
该N沟道MOSFET具有60A的连续漏极电流能力， 最大漏源电压为30V， 在导通状态下其导通电阻仅为4.3毫欧， 栅源驱动电压最高可达20V。 低导通电阻有助于降低导通损耗， 提升整体效率， 适用于对功率密度和热性能有较高要求的电源转换、电机驱动及高频率开关场景。 器件结构优化了开关特性， 可在高频工作条件下保持稳定性能， 适合用于各类紧凑型高效能电子系统中。
NTMFS4851NT1G-HXY特性
暂无产品特性。
NTMFS4851NT1G-HXY应用领域
暂无应用领域。