NTMFS4849NT1G-HXY
IC
DFN-8L(5x6)
可供量大可议
NTMFS4849NT1G-HXY
该N沟道场效应管（MOSFET）具有90A的连续漏极电流（ID）、30V的漏源击穿电压（VDSS）、3.5毫欧的导通电阻（RDS(ON)）以及20V的最大栅源电压（VGS）。 其极低的导通电阻有助于显著降低导通损耗， 在高电流工作条件下维持较高的能效与温升控制。 适用于大功率电源转换、电机驱动、电池管理系统及各类需要高效开关性能的电子设备中， 能够支持频繁开关操作并保持稳定可靠的电气特性。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(5x6)
库存
99
货期
现货
NTMFS4849NT1G-HXY参数
| 封装 | DFN-8L(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 99 |
NTMFS4849NT1G-HXY概述
该N沟道场效应管（MOSFET）具有90A的连续漏极电流（ID）、30V的漏源击穿电压（VDSS）、3.5毫欧的导通电阻（RDS(ON)）以及20V的最大栅源电压（VGS）。 其极低的导通电阻有助于显著降低导通损耗， 在高电流工作条件下维持较高的能效与温升控制。 适用于大功率电源转换、电机驱动、电池管理系统及各类需要高效开关性能的电子设备中， 能够支持频繁开关操作并保持稳定可靠的电气特性。
NTMFS4849NT1G-HXY特性
暂无产品特性。
NTMFS4849NT1G-HXY应用领域
暂无应用领域。