NTMFS4841NT1G-HXY

该N沟道场效应管（MOSFET）具备80A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）仅为4.7毫欧， 栅源驱动电压（VGS）最高可达20V。 低导通电阻有效降低导通损耗， 提升整体能效， 适用于高电流、高频开关场景。 其电气特性适合用于电源转换、电池管理系统、电动工具及各类对效率与热性能要求较高的电子设备中。