NTMFS4841NHT1G-HXY
IC
DFN-8L(5x6)
可供量大可议
NTMFS4841NHT1G-HXY
该N沟道MOSFET支持80A的连续漏极电流， 最大漏源电压为30V， 导通电阻仅为4.7mΩ， 在栅源电压达20V时仍保持稳定工作。 其极低的导通电阻有效降低导通损耗， 提升系统效率， 适用于高电流密度的电源转换、电池管理系统及各类高效同步整流应用。 器件具备优良的热稳定性和快速开关响应能力， 适合对体积和能效有严格要求的紧凑型电子设备。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(5x6)
库存
87
货期
现货
NTMFS4841NHT1G-HXY参数
| 封装 | DFN-8L(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 87 |
NTMFS4841NHT1G-HXY概述
该N沟道MOSFET支持80A的连续漏极电流， 最大漏源电压为30V， 导通电阻仅为4.7mΩ， 在栅源电压达20V时仍保持稳定工作。 其极低的导通电阻有效降低导通损耗， 提升系统效率， 适用于高电流密度的电源转换、电池管理系统及各类高效同步整流应用。 器件具备优良的热稳定性和快速开关响应能力， 适合对体积和能效有严格要求的紧凑型电子设备。
NTMFS4841NHT1G-HXY特性
暂无产品特性。
NTMFS4841NHT1G-HXY应用领域
暂无应用领域。