NTMFS4841NHT1G
IC
SO-8
可供量大可议
NTMFS4841NHT1G
特性：低导通电阻， 以最小化传导损耗。 低电容， 以最小化驱动损耗。 优化的栅极电荷， 以最小化开关损耗。 这些是无铅器件。 应用：CPU电源供应。 DC-DC转换器
品牌
onsemi
封装
SO-8
库存
5
货期
现货
NTMFS4841NHT1G参数
| 封装 | SO-8 |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 5 |
NTMFS4841NHT1G概述
特性：低导通电阻， 以最小化传导损耗。 低电容， 以最小化驱动损耗。 优化的栅极电荷， 以最小化开关损耗。 这些是无铅器件。 应用：CPU电源供应。 DC-DC转换器
NTMFS4841NHT1G特性
暂无产品特性。
NTMFS4841NHT1G应用领域
暂无应用领域。