NTMFS4839NT1G-HXY
IC
DFN-8L(5x6)
可供量大可议
NTMFS4839NT1G-HXY
该N沟道MOSFET额定漏极电流（ID）为80A， 最大漏源电压（VDSS）为30V， 导通电阻（RDS(ON)）典型值为4.7毫欧， 栅源电压（VGS）最高支持20V。 其低导通电阻有助于在大电流工作条件下有效降低功率损耗和温升， 适用于高效率电源转换、电池管理系统、电机控制及各类高电流开关电路。 器件结构优化了开关特性， 适合对体积和热性能有较高要求的电子系统。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(5x6)
库存
48
货期
现货
NTMFS4839NT1G-HXY参数
| 封装 | DFN-8L(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 48 |
NTMFS4839NT1G-HXY概述
该N沟道MOSFET额定漏极电流（ID）为80A， 最大漏源电压（VDSS）为30V， 导通电阻（RDS(ON)）典型值为4.7毫欧， 栅源电压（VGS）最高支持20V。 其低导通电阻有助于在大电流工作条件下有效降低功率损耗和温升， 适用于高效率电源转换、电池管理系统、电机控制及各类高电流开关电路。 器件结构优化了开关特性， 适合对体积和热性能有较高要求的电子系统。
NTMFS4839NT1G-HXY特性
暂无产品特性。
NTMFS4839NT1G-HXY应用领域
暂无应用领域。