NTMFS4839NHT3G-HXY
IC
DFN-8L(5x6)
可供量大可议
NTMFS4839NHT3G-HXY
该N沟道场效应管（MOSFET）具有60A的连续漏极电流（ID）、30V的漏源击穿电压（VDSS）， 在栅源电压（VGS）为20V时， 导通电阻（RDS(ON)）仅为4.3毫欧。 低导通电阻有助于显著降低导通状态下的功率损耗， 提升整体能效。 适用于高电流、高效率要求的电源管理模块、电池供电系统及各类开关模式电源应用。 其电气特性支持快速开关操作， 在高频电路中可维持稳定性能。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(5x6)
库存
98
货期
现货
NTMFS4839NHT3G-HXY参数
| 封装 | DFN-8L(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 98 |
NTMFS4839NHT3G-HXY概述
该N沟道场效应管（MOSFET）具有60A的连续漏极电流（ID）、30V的漏源击穿电压（VDSS）， 在栅源电压（VGS）为20V时， 导通电阻（RDS(ON)）仅为4.3毫欧。 低导通电阻有助于显著降低导通状态下的功率损耗， 提升整体能效。 适用于高电流、高效率要求的电源管理模块、电池供电系统及各类开关模式电源应用。 其电气特性支持快速开关操作， 在高频电路中可维持稳定性能。
NTMFS4839NHT3G-HXY特性
暂无产品特性。
NTMFS4839NHT3G-HXY应用领域
暂无应用领域。