NTMFS4839NHT1G-HXY
IC
DFN-8L(5x6)
可供量大可议
NTMFS4839NHT1G-HXY
该N沟道场效应管（MOSFET）具有60A的连续漏极电流（ID）、30V的漏源击穿电压（VDSS）、4.3毫欧的导通电阻（RDS(ON)）， 以及20V的最大栅源电压（VGS）。 其较低的导通电阻有助于减少功率损耗， 适用于高效率电源转换、电池供电设备及大电流开关电路等应用。 器件在高频开关条件下仍能保持良好的热稳定性和电气性能。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(5x6)
库存
91
货期
现货
NTMFS4839NHT1G-HXY参数
| 封装 | DFN-8L(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 91 |
NTMFS4839NHT1G-HXY概述
该N沟道场效应管（MOSFET）具有60A的连续漏极电流（ID）、30V的漏源击穿电压（VDSS）、4.3毫欧的导通电阻（RDS(ON)）， 以及20V的最大栅源电压（VGS）。 其较低的导通电阻有助于减少功率损耗， 适用于高效率电源转换、电池供电设备及大电流开关电路等应用。 器件在高频开关条件下仍能保持良好的热稳定性和电气性能。
NTMFS4839NHT1G-HXY特性
暂无产品特性。
NTMFS4839NHT1G-HXY应用领域
暂无应用领域。