NTMFS4837NT1G-HXY
IC
DFN-8L(5x6)
可供量大可议
NTMFS4837NT1G-HXY
该N沟道场效应管（MOSFET）具有90A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）低至3.5毫欧， 栅源电压（VGS）最高可达20V。 其极低的导通电阻有效降低导通损耗， 适合在高电流、高频开关的应用中使用， 如电源模块、电机驱动及高效能计算设备中的功率分配系统。 器件在30V电压平台下可维持稳定运行， 兼顾高效率与热性能表现。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(5x6)
库存
90
货期
现货
NTMFS4837NT1G-HXY参数
| 封装 | DFN-8L(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 90 |
NTMFS4837NT1G-HXY概述
该N沟道场效应管（MOSFET）具有90A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）低至3.5毫欧， 栅源电压（VGS）最高可达20V。 其极低的导通电阻有效降低导通损耗， 适合在高电流、高频开关的应用中使用， 如电源模块、电机驱动及高效能计算设备中的功率分配系统。 器件在30V电压平台下可维持稳定运行， 兼顾高效率与热性能表现。
NTMFS4837NT1G-HXY特性
暂无产品特性。
NTMFS4837NT1G-HXY应用领域
暂无应用领域。