NTMFS4744NT3G-HXY
IC
DFN-8L(5x6)
可供量大可议
NTMFS4744NT3G-HXY
该N沟道MOSFET额定漏极电流ID为50A， 最大漏源电压VDSS为30V， 导通电阻RDS(ON)为6.5毫欧， 栅源电压VGS最高可达20V。 低导通电阻有助于在大电流工作时降低功耗与温升， 提升整体能效。 其电气特性适合用于高效率电源转换、电池管理系统、电动工具驱动以及各类需要频繁开关操作的电子设备中， 能够在保持稳定性能的同时支持紧凑型电路设计。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(5x6)
库存
98
货期
现货
NTMFS4744NT3G-HXY参数
| 封装 | DFN-8L(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 98 |
NTMFS4744NT3G-HXY概述
该N沟道MOSFET额定漏极电流ID为50A， 最大漏源电压VDSS为30V， 导通电阻RDS(ON)为6.5毫欧， 栅源电压VGS最高可达20V。 低导通电阻有助于在大电流工作时降低功耗与温升， 提升整体能效。 其电气特性适合用于高效率电源转换、电池管理系统、电动工具驱动以及各类需要频繁开关操作的电子设备中， 能够在保持稳定性能的同时支持紧凑型电路设计。
NTMFS4744NT3G-HXY特性
暂无产品特性。
NTMFS4744NT3G-HXY应用领域
暂无应用领域。