NTMFS4744NT1G-HXY
IC
DFN-8L(5x6)
可供量大可议
NTMFS4744NT1G-HXY
该N沟道MOSFET具有50A的连续漏极电流能力， 最大漏源电压为30V， 在栅源电压为20V时导通电阻低至6.5毫欧。 器件采用标准增强型结构， 适用于对导通损耗和开关效率要求较高的电源管理场景。 其低RDS(ON)特性有助于减少发热， 提升系统整体能效， 适合用于中高频率的开关电路及负载控制应用。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(5x6)
库存
98
货期
现货
NTMFS4744NT1G-HXY参数
| 封装 | DFN-8L(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 98 |
NTMFS4744NT1G-HXY概述
该N沟道MOSFET具有50A的连续漏极电流能力， 最大漏源电压为30V， 在栅源电压为20V时导通电阻低至6.5毫欧。 器件采用标准增强型结构， 适用于对导通损耗和开关效率要求较高的电源管理场景。 其低RDS(ON)特性有助于减少发热， 提升系统整体能效， 适合用于中高频率的开关电路及负载控制应用。
NTMFS4744NT1G-HXY特性
暂无产品特性。
NTMFS4744NT1G-HXY应用领域
暂无应用领域。