NTMFS3D5N08XT1G
IC
SO-8FL
可供量大可议
NTMFS3D5N08XT1G
特性：低 QRR， 软恢复体二极管。 低 RDS(on)， 以最小化传导损耗。 低 QG 和电容， 以最小化驱动损耗。 这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂， 且符合 RoHS 标准。 应用：直流-直流和交流-直流中的同步整流 (SR)。 隔离式直流-直流转换器中的初级开关
品牌
onsemi
封装
SO-8FL
库存
5
货期
现货
NTMFS3D5N08XT1G参数
| 封装 | SO-8FL |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 5 |
NTMFS3D5N08XT1G概述
特性：低 QRR， 软恢复体二极管。 低 RDS(on)， 以最小化传导损耗。 低 QG 和电容， 以最小化驱动损耗。 这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂， 且符合 RoHS 标准。 应用：直流-直流和交流-直流中的同步整流 (SR)。 隔离式直流-直流转换器中的初级开关
NTMFS3D5N08XT1G特性
暂无产品特性。
NTMFS3D5N08XT1G应用领域
暂无应用领域。