NTMFS1D3N04XMT1G
IC
DFN-5(5x6)
可供量大可议
NTMFS1D3N04XMT1G
特性：低RDS(on)， 以最小化传导损耗。 低电容， 以最小化驱动损耗。 小尺寸（5×6mm）， 设计紧凑。 这些器件无铅、无卤素/BFR， 符合RoHS标准。 应用：电机驱动。 电池保护
Brand
onsemi
Package
DFN-5(5x6)
Stock
89
货期
现货
NTMFS1D3N04XMT1GParameters
| 封装 | DFN-5(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 89 |
NTMFS1D3N04XMT1G概述
特性：低RDS(on)， 以最小化传导损耗。 低电容， 以最小化驱动损耗。 小尺寸（5×6mm）， 设计紧凑。 这些器件无铅、无卤素/BFR， 符合RoHS标准。 应用：电机驱动。 电池保护
NTMFS1D3N04XMT1G特性
暂无产品特性。
NTMFS1D3N04XMT1G应用领域
暂无应用领域。