NTMFS0D9N04XLT1G
IC
SO-8FL
可供量大可议
NTMFS0D9N04XLT1G
特性：低导通电阻RDS(on)， 以最小化传导损耗。 低反向恢复电荷QRR， 具有软恢复特性， 以最小化ERR损耗和电压尖峰。 低栅极电荷QG和电容， 以最小化驱动和开关损耗。 这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂， 符合RoHS标准。 应用：高开关频率DC-DC转换。 同步整流
品牌
onsemi
封装
SO-8FL
库存
10
货期
现货
NTMFS0D9N04XLT1G参数
| 封装 | SO-8FL |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 10 |
NTMFS0D9N04XLT1G概述
特性：低导通电阻RDS(on)， 以最小化传导损耗。 低反向恢复电荷QRR， 具有软恢复特性， 以最小化ERR损耗和电压尖峰。 低栅极电荷QG和电容， 以最小化驱动和开关损耗。 这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂， 符合RoHS标准。 应用：高开关频率DC-DC转换。 同步整流
NTMFS0D9N04XLT1G特性
暂无产品特性。
NTMFS0D9N04XLT1G应用领域
暂无应用领域。